GaAs-Wafer
고속 전자 이동성과 고주파 특성으로 RF, LED, 레이저, 고속 통신 칩 등에 사용되는 화합물 반도체 웨이퍼입니다.
| Description | Specification |
|---|---|
| Size | 4~12inch |
| Orientation | <100> |
| Layer Thickness | 1~100㎛ (고객 맞춤형 가능) |
| Layer Resistivity | 0.5~20Ω·cm (주문사양에 따름) |
| Handle Wafer Resistivity | 1 ~ 200 Ω·cm |
| Surface | SSP, DSP |
| Type | P Type, N Type |
본문
| Description | Specification |
|---|---|
| Size | 4~12inch |
| Orientation | <100> |
| Layer Thickness | 1~100㎛ (고객 맞춤형 가능) |
| Layer Resistivity | 0.5~20Ω·cm (주문사양에 따름) |
| Handle Wafer Resistivity | 1 ~ 200 Ω·cm |
| Surface | SSP, DSP |
| Type | P Type, N Type |
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