InP-wafer
InP(Indium Phosphide) 웨이퍼는 고속·고주파 및 광통신 소자에 최적화된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 웨이퍼입니다.
실리콘 대비 전자 이동도와 포화 속도가 매우 높아, 차세대 광전자 및 RF 디바이스에 널리 사용됩니다.
실리콘 대비 전자 이동도와 포화 속도가 매우 높아, 차세대 광전자 및 RF 디바이스에 널리 사용됩니다.
| Description | Specification |
|---|---|
| Size | 2~4inch |
| Type/Dopant | N-type/P-type/Semi-insulating |
| Orientation | <100>, <110>, <111> |
| Resistivity(Ω㎝) | Depends |
| Thickness(um) | 두께별 문의 가능 |
| Surface | SSP, DSP |
| Carrier Concentration | 1×10¹⁶ ~ 1×10¹⁹ cm⁻³ |
| Flat.Notch Type | 특이사항 문의 |
| Processing | 기본사양 두께 외 특화된 두께 웨이퍼 가공 및 코팅 가능 |
본문
| Description | Specification |
|---|---|
| Size | 2~4inch |
| Type/Dopant | N-type/P-type/Semi-insulating |
| Orientation | <100>, <110>, <111> |
| Resistivity(Ω㎝) | Depends |
| Thickness(um) | 두께별 문의 가능 |
| Surface | SSP, DSP |
| Carrier Concentration | 1×10¹⁶ ~ 1×10¹⁹ cm⁻³ |
| Flat.Notch Type | 특이사항 문의 |
| Processing | 기본사양 두께 외 특화된 두께 웨이퍼 가공 및 코팅 가능 |
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